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西克光電傳感器結(jié)構(gòu)與分類
西克光電傳感器結(jié)構(gòu)與分類它們的結(jié)構(gòu)有單晶和多晶薄膜的,也有非晶的,它們的成分有元素半導(dǎo)體的和化合物半導(dǎo)體的,也有多元混晶的。其中最重要的兩種是硅和碲鎘汞。硅的原料豐富,工藝成熟,是制造從近紅外到紫外波段光電器件的優(yōu)良材料。碲鎘汞是碲化汞和碲化鎘的混晶,是優(yōu)良的紅外光敏材料
西克光電傳感器結(jié)構(gòu)與分類
其中,h表示普朗克常量,ν表示入射光的頻率)。當(dāng)光子能量等于或大于逸出功時(shí)才能產(chǎn)生外光電效應(yīng)。因此每一種物體都有一個(gè)對(duì)應(yīng)于光電效應(yīng)的光頻閾值,稱為紅限頻率。對(duì)于紅限頻率以上的入射光,外生光電流與光強(qiáng)成正比。內(nèi)光電效應(yīng)又分為光電導(dǎo)效應(yīng)和光生伏應(yīng)兩類。光電導(dǎo)效應(yīng)是指,半導(dǎo)體材料在光照下禁帶中的電子受到能量不低于禁帶寬度的光子的激發(fā)而躍遷到導(dǎo)帶,從而增加電導(dǎo)率的現(xiàn)象。能量對(duì)應(yīng)于禁帶寬度的光子的波長(zhǎng)稱光電導(dǎo)效應(yīng)的臨界波長(zhǎng)。光生伏打效應(yīng)是指光線作用能使半導(dǎo)體材料產(chǎn)生一定方向電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象。
工作原理詳細(xì)信息與反射鏡保持距離(雙透鏡系統(tǒng))
開(kāi)關(guān)距離0.03 m ... 6 m 1)
光源PinPoint-LED 2)
光源種類可見(jiàn)紅光
光斑尺寸(距離)? 8 mm (350 mm)
感應(yīng)距離0.07 m ... 5 m 1)
偏振過(guò)濾器是
光生伏打效應(yīng)又可分為勢(shì)壘效應(yīng)(結(jié)光電效應(yīng))和側(cè)向光電效應(yīng)。勢(shì)壘效應(yīng)的機(jī)理是在金屬和半導(dǎo)體的接觸區(qū)(或在PN結(jié))中,電子受光子的激發(fā)脫離勢(shì)壘(或禁帶)的束縛而產(chǎn)生電子空穴對(duì),在阻擋層內(nèi)電場(chǎng)的作用下電子移向 N區(qū)外側(cè),空穴移向 P區(qū)外側(cè),形成光生電動(dòng)勢(shì)。側(cè)向光電效應(yīng)是當(dāng)光電器件敏感面受光照不均勻時(shí),受光激發(fā)而產(chǎn)生的電子空穴對(duì)的濃度也不均勻,電子向未被照射部分?jǐn)U散,引起光照部分帶正電、未被光照部分帶負(fù)電的一種現(xiàn)象。

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